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Fairchild/ON Semiconductor FDP085N10A
| Artikelnummer: | FDP085N10A |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V TO-220-3 |
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Fairchild/ON Semiconductor FDP085N10A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FDP085N10A.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 Serie PowerTrench® Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5 mOhm @ 96A, 10V Verlustleistung (max) 188W (Tc) Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2695pF @ 50V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 96A (Tc) FDP085N10A Einzelheiten PDF [English] FDP085N10A PDF - EN.pdf -
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